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Insignis Technology Corporation
NDS73PBE-20ET
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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NDS73PBE-20ET - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La NDS73PBE-20ET d'Insignis Technology Corporation est une mémoire DRAM synchrone haute fiabilité de 128 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et une grande stabilité. Cette mémoire volatile présente une architecture 4M x 32 avec interface LVTTL et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour les applications industrielles, de télécommunications et de systèmes embarqués les plus exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits avec une organisation de 4 M x 32 pour une intégration système flexible
- Interface standard de l'industrie : interface LVTTL compatible avec la plupart des contrôleurs modernes
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : Boîtier CMS 90-TFBGA (8x13) pour les circuits imprimés haute densité
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Le NDS73PBE-20ET est idéal pour une large gamme d'applications, notamment :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
- Systèmes d'acquisition et de traitement des données
- Instrumentation médicale
- électronique automobile
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société technologique Insignis |
| Gamme de produits | NDS73P |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-FBGA (8x13) |
| RoHS |  |
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