NDS73PBE-20ET TR

NDS73PBE-20ET TR - Circuit intégré SDRAM haute performance de 128 Mbit

Le NDS73PBE-20ET TR d'Insignis Technology Corporation est un circuit intégré SDRAM 128 Mbit haute fiabilité conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant de mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation mémoire de 4M x 32, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués exigeant un accès aux données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 200 MHz garantit un traitement rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Configuration mémoire optimale : une capacité de 128 Mbits avec une organisation de 4 M x 32 offre une architecture mémoire flexible.
• Interface standard de l'industrie : l'interface LVTTL assure la compatibilité avec une large gamme de conceptions de systèmes.
• Fonctionnement fiable : Plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) adaptée aux environnements commerciaux et industriels
• Boîtier compact : le boîtier CMS 90-TFBGA (90-FBGA 8x13) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour les processus d’assemblage automatisés, réduisant les temps et les coûts de production

Spécifications techniques

Applications

Le NDS73PBE-20ET TR est conçu pour les applications exigeantes, notamment :

• Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
• Plateformes ECU et ADAS automobiles
• Automatisation industrielle et contrôle des processus
• Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Systèmes informatiques embarqués nécessitant une mémoire volatile à haute vitesse

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