Insignis Technology Corporation
NDS73PT9-20AT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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NDS73PT9-20AT TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La puce NDS73PT9-20AT TR d'Insignis Technology Corporation est une DRAM synchrone haute fiabilité de 128 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré mémoire présente une architecture 4M x 32 avec interface LVTTL et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz, offrant des performances robustes sur une large plage de températures allant de -40 °C à 105 °C.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire SDRAM de 128 Mbits avec une organisation de mémoire de 4M x 32.
- Fréquence d'horloge de 200 MHz pour un accès rapide aux données
- Interface LVTTL pour une large compatibilité
- Plage de température de fonctionnement étendue : -40 °C à 105 °C (TA)
- Plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V
- Boîtier de montage en surface 86-TSOP II
- Conforme à la directive RoHS en matière de normes environnementales
- Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications : Systèmes de contrôle industriel, électronique automobile, équipements de télécommunications, dispositifs médicaux, systèmes aérospatiaux et autres applications embarquées à haute fiabilité nécessitant un support à long terme.
Qualité et conformité : Ce composant est conforme aux normes RoHS/REACH et bénéficie d’une traçabilité complète. Distributeur agréé, nous fournissons des produits Insignis Technology authentiques, conformes aux spécifications du fabricant et garantissons leur disponibilité à long terme.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société technologique Insignis |
| Gamme de produits | NDS73P |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |
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