Insignis Technology Corporation
NDS73PT9-20ET TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire SDRAM haute performance Insignis NDS73PT9-20ET TR - 128 Mbit
La mémoire DRAM synchrone NDS73PT9-20ET TR d'Insignis Technology Corporation offre des performances fiables et rapides pour les applications critiques. Conçue avec une architecture mémoire 4M x 32 et une fréquence d'horloge de 200 MHz, cette mémoire SDRAM de 128 Mbit fournit les performances robustes requises pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4M x 32 optimise la bande passante pour les applications exigeantes.
- Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration transparente avec les systèmes existants
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : boîtier CMS 86-TSOP II pour circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce composant SDRAM est idéal pour :
- Systèmes embarqués et automatisation industrielle
- Équipements de réseau et de télécommunications
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Systèmes d'acquisition et de traitement des données
- Plateformes informatiques à haute fiabilité
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société technologique Insignis |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |
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