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Insignis Technology Corporation

NDS76PBA-16ET TR

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

NDS76PBA-16ET TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

Le NDS76PBA-16ET TR d'Insignis Technology Corporation est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haut de gamme de 128 Mbits, conçu pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Ce composant semi-conducteur authentique offre un stockage de mémoire volatile fiable avec une organisation de 8 Mbits x 16, alliant performances à haute vitesse et robustesse.

Caractéristiques principales et spécifications techniques

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns et un temps de cycle d'écriture de 12 ns, garantissant un débit de données rapide pour les applications critiques. L'interface LVTTL (TTL basse tension) assure la compatibilité avec les systèmes numériques modernes tout en maintenant une plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement écoénergétique.

Conçu pour une fiabilité industrielle, le NDS76PBA-16ET TR fonctionne dans une plage de températures de 0 °C à 70 °C, ce qui le rend idéal pour l'électronique automobile, les objets connectés, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées. Son boîtier CMS 54-TFBGA (8 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte tout en facilitant les processus d'assemblage automatisés.

Applications et cas d'utilisation

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Électronique automobile et infodivertissement
  • Dispositifs informatiques de périphérie IoT
  • Extension de mémoire pour systèmes embarqués
  • équipement d'acquisition et de traitement des données
  • Infrastructure de communication

Assurance qualité et authenticité

En tant que distributeur agréé, HQICKEY garantit l'authenticité à 100 % des composants Insignis Technology, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité NDS76PBA-16ET TR est conforme à la norme RoHS et conditionnée en bobine professionnelle pour une production à grande échelle. Notre engagement envers la qualité vous assure de recevoir des semi-conducteurs authentiques, couverts par les garanties du fabricant et accompagnés de la documentation technique.

Résumé des spécifications techniques

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire semi-conducteurs, incluant des dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité de 64 octets à 6 To. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques, assortis de garanties de cycle de vie. Restez informé(e) des dernières tendances du secteur, des nouveaux produits et des analyses techniques en visitant notre blog d'actualités sur les semi-conducteurs .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société technologique Insignis
Gamme de produits NDS76P
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-FBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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