NV9584F111-RA

Circuit intégré de puissance GaN Navitas Semiconductor NV9584F111-RA

Le NV9584F111-RA est un circuit intégré de puissance haute performance en nitrure de gallium (GaN) de Navitas Semiconductor, doté de la technologie avancée GaNSense. Ce contrôleur flyback 650 V offre une efficacité et une fiabilité supérieures pour les applications de conversion de puissance exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie GaN 650 V : Tension nominale de pointe et performances thermiques améliorées pour les applications haute puissance
• Conception du système GaNSense Co-Pack : détection et protection intégrées pour une fiabilité système et une détection des pannes optimales
• Conditionnement en bande et bobine : adapté aux environnements d’assemblage automatisé et de production à grand volume.
• Efficacité supérieure : la technologie GaN permet des fréquences de commutation plus élevées et des pertes de puissance réduites par rapport aux solutions traditionnelles à base de silicium.
• Format compact : Un encombrement réduit permet des alimentations plus compactes et une densité de puissance améliorée.
• Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Navitas Semiconductor en matière de disponibilité des produits et de traçabilité complète tout au long de la chaîne d’approvisionnement.
• Conforme aux normes RoHS/REACH : répond aux normes environnementales et de sécurité internationales pour un déploiement transfrontalier et la conformité réglementaire.

Applications

Le NV9584F111-RA est idéal pour une large gamme d'applications de conversion de puissance, notamment les alimentations AC-DC, les chargeurs rapides, les adaptateurs USB-C PD, les systèmes d'alimentation industriels, les modules d'alimentation pour télécommunications et les convertisseurs de puissance à découpage haute efficacité nécessitant un format compact et une gestion thermique optimale. Il est parfaitement adapté aux conceptions électroniques de puissance de nouvelle génération exigeant une efficacité et une fiabilité maximales.

Pourquoi choisir la technologie GaN ?

Les semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) représentent l'avenir de l'électronique de puissance, offrant des avantages considérables par rapport aux MOSFET et IGBT en silicium traditionnels. Les dispositifs GaN permettent des fréquences de commutation plus élevées, une résistance à l'état passant plus faible, des pertes de commutation réduites et des performances thermiques supérieures. Il en résulte des alimentations plus compactes, plus légères et plus efficaces, avec une densité de puissance accrue et des besoins en refroidissement réduits.

Spécifications techniques complètes

Remarque : Pour obtenir des spécifications techniques détaillées, des notes d’application et des ressources de conception, veuillez contacter notre équipe d’assistance technique ou consulter la documentation officielle du fabricant.

Qualité et fiabilité

Chaque unité NV9584F111-RA est soumise à des contrôles et tests de qualité rigoureux afin de garantir sa conformité aux normes industrielles. Nos composants proviennent directement de fabricants et distributeurs agréés, ce qui garantit leur authenticité et une traçabilité complète. Nous appliquons des protocoles stricts de manutention et de stockage pour préserver l'intégrité des composants, de l'entrepôt jusqu'à votre ligne de production.

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