PC28F512M29EWLB TR

Mémoire flash NOR haute performance Micron PC28F512M29EWLB TR

La mémoire flash NOR parallèle PC28F512M29EWLB TR de Micron Technology est une solution fiable de 512 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et critiques nécessitant des temps d'accès rapides et un fonctionnement à température étendue.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 512 Mbit - Organisation flexible (64 Mbit x 8 ou 32 Mbit x 16)
• Temps d'accès rapide de 100 ns - Optimisé pour les applications critiques en termes de performances
• Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle - Accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
• Fonctionnement à basse tension - Tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
• Boîtier CMS - 64-FBGA (11 x 13 mm) pour des conceptions compactes
• Conforme à la directive RoHS - Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de code non volatil avec une fiabilité à long terme et une conservation des données.

Spécifications techniques :

Pourquoi choisir la mémoire flash NOR de Micron ?

Micron Technology est un leader mondial des solutions de mémoire à semi-conducteurs, reconnu pour sa fiabilité éprouvée depuis des décennies. La mémoire PC28F512M29EWLB TR offre une excellente rétention des données, une grande endurance et des performances optimales pour les applications exigeantes où la fiabilité est primordiale.

Conditionnement : Bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés

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