PC28F640P33B85B TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute fiabilité Micron StrataFlash PC28F640P33B85B TR - 64 Mbit
La mémoire flash PC28F640P33B85B TR de Micron Technology est une solution de mémoire flash NOR parallèle haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire flash de 64 Mbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une capacité de 64 Mbits avec une organisation mémoire de 4 M x 16 offre un espace suffisant pour le microprogramme, le code de démarrage et le stockage des données.
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 85 ns et une fréquence d'horloge de 52 MHz garantissent une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TC), ce qui le rend idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Alimentation flexible : une large plage de tension de 2,3 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
- Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les systèmes embarqués existants.
- Boîtier CMS : le boîtier 64-TBGA (64-EasyBGA 10x13) optimise l’espace sur la carte et l’efficacité de la fabrication
- Conditionnement en bande et bobine : le conditionnement TR garantit la compatibilité avec les assemblages automatisés et la protection des composants
Spécifications techniques
Applications
La mémoire PC28F640P33B85B TR est spécialement conçue pour les applications nécessitant une mémoire non volatile à haute fiabilité et rétention des données :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant le stockage de code et un micrologiciel de démarrage
- Modules ECU automobiles, systèmes d'infodivertissement et modules ADAS
- Systèmes de contrôle industriels et automates programmables (PLC)
- Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Systèmes embarqués nécessitant des données de configuration persistantes
Pourquoi choisir la technologie NOR Flash ?
L'architecture de mémoire flash NOR offre des avantages indéniables pour les applications embarquées : la capacité d'exécution sur place (XIP) permet aux processeurs d'exécuter du code directement depuis la mémoire flash sans chargement en RAM, les performances d'accès aléatoire garantissent des opérations de lecture rapides et la fiabilité supérieure assure l'intégrité des données dans les systèmes critiques. La gamme StrataFlash de Micron a fait ses preuves dans les applications à haute fiabilité à travers le monde.
Qualité et fiabilité
Fabriqué par Micron Technology Inc., leader mondial des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et automobiles. Sa large plage de températures et sa conception robuste garantissent des performances constantes quelles que soient les conditions environnementales.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant DRAM, SRAM, EEPROM et autres technologies de mémoire flash. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité. Pour des analyses techniques, des notes d'application et les tendances du secteur, consultez notre blog technique .
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | StrataFlash™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 52 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 85 ns |
| Temps d'accès | 85 ns |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-EasyBGA (10x13) |

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