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Micron Technology Inc.

PC28F640P33B85B TR

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire flash NOR haute fiabilité Micron StrataFlash PC28F640P33B85B TR - 64 Mbit

La mémoire flash PC28F640P33B85B TR de Micron Technology est une solution de mémoire flash NOR parallèle haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire flash de 64 Mbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : une capacité de 64 Mbits avec une organisation mémoire de 4 M x 16 offre un espace suffisant pour le microprogramme, le code de démarrage et le stockage des données.
  • Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 85 ns et une fréquence d'horloge de 52 MHz garantissent une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TC), ce qui le rend idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Alimentation flexible : une large plage de tension de 2,3 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les systèmes embarqués existants.
  • Boîtier CMS : le boîtier 64-TBGA (64-EasyBGA 10x13) optimise l’espace sur la carte et l’efficacité de la fabrication
  • Conditionnement en bande et bobine : le conditionnement TR garantit la compatibilité avec les assemblages automatisés et la protection des composants

Spécifications techniques

Applications

La mémoire PC28F640P33B85B TR est spécialement conçue pour les applications nécessitant une mémoire non volatile à haute fiabilité et rétention des données :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant le stockage de code et un micrologiciel de démarrage
  • Modules ECU automobiles, systèmes d'infodivertissement et modules ADAS
  • Systèmes de contrôle industriels et automates programmables (PLC)
  • Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes embarqués nécessitant des données de configuration persistantes

Pourquoi choisir la technologie NOR Flash ?

L'architecture de mémoire flash NOR offre des avantages indéniables pour les applications embarquées : la capacité d'exécution sur place (XIP) permet aux processeurs d'exécuter du code directement depuis la mémoire flash sans chargement en RAM, les performances d'accès aléatoire garantissent des opérations de lecture rapides et la fiabilité supérieure assure l'intégrité des données dans les systèmes critiques. La gamme StrataFlash de Micron a fait ses preuves dans les applications à haute fiabilité à travers le monde.

Qualité et fiabilité

Fabriqué par Micron Technology Inc., leader mondial des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et automobiles. Sa large plage de températures et sa conception robuste garantissent des performances constantes quelles que soient les conditions environnementales.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant DRAM, SRAM, EEPROM et autres technologies de mémoire flash. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité. Pour des analyses techniques, des notes d'application et les tendances du secteur, consultez notre blog technique .

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits StrataFlash™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 52 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 85 ns
Temps d'accès 85 ns
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-EasyBGA (10x13)

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