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RC28F128J3F75B TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR StrataFlash™ Micron RC28F128J3F75B TR - 128 Mbit
Le RC28F128J3F75B est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit de la série StrataFlash™ de Micron Technology, conçu pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable avec des temps d'accès rapides.
Caractéristiques principales :
- Capacité mémoire de 128 Mbit - Organisation flexible (16 Mbit x 8 ou 8 Mbit x 16) pour une intégration système polyvalente
- Temps d'accès rapide de 75 ns - Optimisé pour les applications embarquées critiques en termes de performances
- Interface parallèle - Accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
- Large plage de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
- Boîtier CMS 64-TBGA - Format compact 64-EasyBGA (10 x 13 mm)
- Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés
Applications :
Idéal pour le stockage de micrologiciels, l'exécution de code, l'enregistrement de données et la gestion de la configuration dans les systèmes critiques. Convient aux systèmes avioniques aérospatiaux, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux infrastructures de télécommunications et aux dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme.
Avantages réservés aux distributeurs agréés :
Nous fournissons des composants Micron authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Notre stock assure une disponibilité tout au long du cycle de vie de vos produits, vous permettant ainsi de soutenir vos programmes et de limiter les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | StrataFlash™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16 m x 8, 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 75ns |
| Temps d'accès | 75 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-EasyBGA (10x13) |
| RoHS |  |
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