SIP41111DY-T1-E3
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €81.998,95 EUR | €81.998,95 EUR |
| 15+ | €75.439,03 EUR | €1.131.585,45 EUR |
| 25+ | €73.799,06 EUR | €1.844.976,50 EUR |
| 50+ | €69.699,11 EUR | €3.484.955,50 EUR |
| 100+ | €61.499,21 EUR | €6.149.921,00 EUR |
| N+ | €12.299,84 EUR | Price Inquiry |
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Recycling Electronic Components
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Configuration pilotée | Demi-pont |
| Type de canal | Indépendant |
| Nombre de conducteurs | 2 |
| Type de porte | MOSFET (canal N) |
| Tension - Alimentation | 9V ~ 13,2V |
| Tension logique - VIL, VIH | 4V, 7V |
| Courant - Sortie de crête (Source, Puits) | 2A, 2A |
| Type d'entrée | Non-inverseur |
| Tension côté haut - Max (Bootstrap) | 75 V |
| Temps de montée/descente (Typ) | 13 ns, 15 ns |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

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