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TC58NYG1S3HBAI4
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Kioxia TC58NYG1S3HBAI4 - Mémoire flash NAND SLC 2 Gbit de qualité supérieure
La mémoire flash TC58NYG1S3HBAI4 de Kioxia America, Inc. représente le summum de la technologie de mémoire flash haute fiabilité. Cette mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) de 2 Gbit de qualité industrielle offre des performances et une endurance exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des dispositifs médicaux et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité supérieure : la technologie SLC NAND garantit une intégrité maximale des données et une durée de vie prolongée.
- Performances haute vitesse : temps de cycle d’écriture de 25 ns pour un traitement rapide des données
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
- Format compact : le boîtier CMS 63-TFBGA (9x11) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l'efficacité énergétique.
- Organisation flexible : l'architecture 256M x 8 offre une gestion des données polyvalente
Applications idéales
Cette solution de mémoire flash haut de gamme excelle dans les environnements exigeants où la fiabilité est primordiale : systèmes de vol aérospatiaux, calculateurs automobiles, contrôleurs d’automatisation industrielle, équipements de diagnostic médical et infrastructures de télécommunications. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa technologie SLC robuste en font le choix idéal pour les systèmes nécessitant une conservation des données garantie et une stabilité opérationnelle à long terme.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Kioxia America, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-TFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
TC58NYG1S3HBAI4.pdf