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TH58BYG2S3HBAI6
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.005,95 EUR | €82.005,95 EUR |
| 15+ | €75.445,47 EUR | €1.131.682,05 EUR |
| 25+ | €73.805,36 EUR | €1.845.134,00 EUR |
| 50+ | €69.705,06 EUR | €3.485.253,00 EUR |
| 100+ | €61.504,46 EUR | €6.150.446,00 EUR |
| N+ | €12.300,89 EUR | Price Inquiry |
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Kioxia TH58BYG2S3HBAI6 - Mémoire flash NAND SLC haute fiabilité
La mémoire flash NAND SLC TH58BYG2S3HBAI6 de la gamme Benand™ de Kioxia America offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et critiques. Ce composant de 4 Gbits intègre un code de correction d'erreurs (ECC) et des algorithmes avancés d'équilibrage d'usure, garantissant l'intégrité des données et une durée de vie prolongée, même dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité supérieure : la technologie SLC (Single-Level Cell) offre la plus grande endurance et la meilleure rétention des données parmi les types de mémoire flash NAND.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les applications en environnements difficiles
- Performances d'accès rapide : temps d'accès et temps de cycle d'écriture de 25 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Format compact : le boîtier CMS 67-VFBGA (6,5 x 8 mm) optimise l'espace sur la carte.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour une conception d’alimentation flexible
- Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les conceptions existantes
Applications idéales
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes aérospatiaux et toute application nécessitant une conservation des données à long terme et une endurance en écriture élevée.
Spécifications techniques complètes
Conforme à la directive RoHS pour une responsabilité environnementale. Distributeur agréé garantissant une traçabilité complète et une assurance qualité.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Kioxia America, Inc. |
| Gamme de produits | Benand™ |
| Conditionnement | | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 67-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 67-VFBGA (6,5x8) |
| RoHS |  |
TH58BYG2S3HBAI6.pdf