THGJFMT1E45BATV

Kioxia THGJFMT1E45BATV - Mémoire flash NAND UFS 4.0 haute performance de 256 Go

Le THGJFMT1E45BATV de Kioxia America offre des performances de stockage flash de niveau entreprise avec la technologie d'interface UFS 4.0, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant des solutions de mémoire non volatile fiables et haute densité.

Principales caractéristiques et avantages

• Interface UFS 4.0 ultra-rapide : la fréquence d’horloge de 2,32 GHz permet un transfert de données rapide pour les systèmes critiques.
• Stockage haute densité : capacité de 2 Tbit (256 Go) en architecture NAND TLC optimisée pour les conceptions à espace limité
• Large plage de températures de fonctionnement : de -25 °C à 85 °C, garantissant des performances fiables même dans des environnements industriels difficiles.
• Qualité Kioxia authentique : Provenant de distributeurs agréés, avec documentation et traçabilité complètes du fabricant.
• Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Kioxia à assurer une disponibilité produit étendue pour les applications critiques.

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes à haute fiabilité, notamment l'avionique aérospatiale, l'infodivertissement automobile et les systèmes ADAS, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'infrastructure de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une technologie flash NAND éprouvée avec une tolérance aux températures étendue.

Assurance qualité

Chaque unité THGJFMT1E45BATV provient des canaux de distribution agréés de Kioxia, garantissant des composants 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, une traçabilité des lots et une certification de conformité pour les déploiements critiques.

No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.