W29GL128CH9B TR

Winbond W29GL128CH9B TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle de 128 Mbit

La mémoire flash NOR parallèle Winbond W29GL128CH9B TR est un circuit intégré haute performance de 128 Mbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant Winbond authentique offre un temps d'accès rapide de 90 ns et une organisation mémoire flexible (16 Mbit x 8 ou 8 Mbit x 16) dans un boîtier compact LFBGA 64 broches pour montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de stockage de 128 Mbit : mémoire non volatile suffisante pour le microprogramme, le code de démarrage et le stockage de données dans les applications embarquées.
• Temps d'accès rapide de 90 ns : des opérations de lecture rapides garantissent des performances système réactives.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit sans surcharge de protocole supplémentaire
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant la fiabilité dans des environnements difficiles
• Boîtier compact 64-LFBGA : son format de 11 x 13 mm optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
• Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications idéales

Idéal pour les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes embarqués nécessitant le stockage du code de démarrage, les mises à jour du firmware et la conservation des données de configuration.

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Spécifications techniques complètes

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