W29N01HZSINF TR

Winbond W29N01HZSINF TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit haute fiabilité

La puce mémoire flash NAND Winbond W29N01HZSINF TR de 1 Gbit est un circuit intégré haut de gamme conçu pour les systèmes embarqués critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Dotée de la technologie NAND SLC (Single-Level Cell) avec interface ONFI, cette mémoire de qualité industrielle offre un temps d'accès rapide de 22 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit avec une organisation mémoire de 128 Mo x 8 pour une gestion flexible des données
• Performances rapides : temps d’accès de 22 ns et temps de cycle d’écriture de 25 ns pour des opérations de données rapides.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Interface ONFI : Interface standard du secteur pour une intégration transparente
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions écoénergétiques
• Boîtier CMS : boîtier TSOP 48 pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et toute application embarquée nécessitant une conservation des données à long terme et une grande endurance.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

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