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W29N02GVBIAF TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND haute performance Winbond W29N02GVBIAF TR - 2 Gbit
La puce W29N02GVBIAF TR de Winbond Electronics est une mémoire flash NAND 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications à haute fiabilité dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire à montage en surface utilise la technologie SLC (Single-Level Cell), offrant une endurance et une rétention des données exceptionnelles pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation mémoire de 256 Mo x 8
- Performances rapides : temps de cycle d’écriture et temps d’accès de 25 ns pour des opérations de données rapides.
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels
- Technologie SLC fiable : endurance et intégrité des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
- Boîtier compact : conception à montage en surface 63-VFBGA (9x11) pour les applications à espace restreint
- Alimentation flexible : plage de tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V
- Conforme à la norme RoHS : Normes de fabrication respectueuses de l'environnement
Spécifications techniques
Applications
La mémoire W29N02GVBIAF TR est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements réseau et les systèmes d'acquisition de données. Son architecture NAND SLC garantit des performances constantes et une durée de vie prolongée.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
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