W29N02KVBIAE TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND SLC 2 Gbit haute performance Winbond W29N02KVBIAE TR
La mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) Winbond W29N02KVBIAE TR est une solution haut de gamme de 2 gigabits conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité, une endurance et une rétention des données exceptionnelles. Dotée d'une interface ONFI standard et organisée en 8 x 256 Mo, cette mémoire non volatile offre des performances robustes sur une plage de températures industrielles allant de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie SLC supérieure : l'architecture à cellule unique garantit une endurance et une intégrité des données maximales pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes.
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 20 ns et un temps de cycle d’écriture de 25 ns permettent un débit de données rapide pour les opérations critiques en temps réel.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet une intégration flexible dans diverses architectures système.
- Plage de température étendue : la spécification de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des conditions environnementales difficiles.
- Interface standard de l'industrie : la compatibilité ONFI (Open NAND Flash Interface) simplifie l'intégration et garantit une large prise en charge de l'écosystème.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement 63-VFBGA (9 x 11 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux réglementations environnementales relatives à la fabrication sans plomb
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Le W29N02KVBIAE TR est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Systèmes d'infodivertissement et télématique automobile
- Enregistrement des données des dispositifs médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Dispositifs informatiques de périphérie IoT
- Stockage du micrologiciel des systèmes embarqués
Qualité et fiabilité
Fabriquée par Winbond Electronics, leader mondial reconnu des solutions de mémoire à semi-conducteurs, la mémoire W29N02KVBIAE TR est soumise à des tests de qualité rigoureux afin de garantir une fiabilité à long terme et des performances constantes. Son architecture NAND SLC offre une endurance supérieure aux alternatives MLC ou TLC, ce qui en fait le choix idéal pour les applications où l'intégrité des données et la longévité des cycles d'écriture sont primordiales.
Ressources et assistance en conception
Une documentation technique complète, des notes d'application et une assistance à la conception sont disponibles pour accélérer votre cycle de développement. Notre équipe d'ingénieurs vous accompagne dans l'intégration, les tests et la qualification afin de garantir un déploiement réussi dans votre application cible.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | ONFI |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |

W29N02KVBIAE TR.pdf