W631GG6MB-11 TR

Winbond W631GG6MB-11 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

Le W631GG6MB-11 TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 933 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 20 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 933 MHz garantit un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Mo x 16 offre une gestion flexible de la mémoire
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC), idéal pour les environnements industriels.
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 96-VFBGA (7,5 x 13 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
• Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle assure une large compatibilité
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire DDR3 SDRAM polyvalent est conçu pour les applications critiques, notamment :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant des composants de haute fiabilité
• Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Plateformes informatiques embarquées hautes performances

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