W631GU8RB09I TR

Winbond W631GU8RB09I TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 1 Go

Le Winbond W631GU8RB09I est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 1 gigabit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Ce composant semi-conducteur authentique offre un stockage de données fiable et des temps d'accès rapides dans un boîtier compact à montage en surface 78 VFBGA.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 1,066 GHz et un temps d'accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Faible consommation d'énergie : la technologie DDR3L fonctionne entre 1,283 V et 1,45 V, réduisant ainsi la consommation d'énergie tout en maintenant les performances.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 95 °C, idéal pour les environnements difficiles.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Mo x 8 offre des options d’intégration polyvalentes aux concepteurs de systèmes.
• Format compact : le boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l'espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
• Authentique et traçable : composant Winbond Electronics authentique avec assistance et documentation complètes tout au long du cycle de vie

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM DDR3L est parfaitement adaptée aux contrôleurs industriels, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux, à l'informatique de périphérie IoT et aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une tolérance aux températures étendue.

Spécifications techniques complètes

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