W632GG6NB12I

Winbond W632GG6NB12I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit

Le W632GG6NB12I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haute performance conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.

Caractéristiques principales

• Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 128 Mo x 16 pour une intégration système flexible
• Fréquence d'horloge de 800 MHz assurant un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de performances
• Plage de températures industrielles étendue : -40 °C à 95 °C (TC) pour une utilisation en environnement difficile
• Boîtier 96-VFBGA (7,5 x 13 mm) - format compact pour montage en surface, optimisé pour les conceptions à espace restreint.
• Temps d'accès faible : 20 ns pour des opérations de mémoire réactives
• Conforme aux normes RoHS et REACH – répond aux normes environnementales et de sécurité internationales

Applications

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels, des dispositifs médicaux, des infrastructures de télécommunications et des systèmes embarqués nécessitant une mémoire haute fiabilité avec une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

Nous fournissons des composants Winbond 100 % authentiques, avec traçabilité complète du fabricant, documentation d'origine, assistance tout au long du cycle de vie et certification de conformité. Chaque unité est livrée avec la documentation RoHS/REACH et une assurance qualité.

Spécifications techniques complètes

• W632GG6NB12I.pdf