W632GG6NB15I

Winbond W632GG6NB15I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit

Le W632GG6NB15I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Doté d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 16 et d'une fréquence d'horloge de 667 MHz, cette DRAM volatile offre des performances d'interface parallèle fiables avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns.

Caractéristiques principales :

• Technologie SDRAM DDR3 2 Gbit avec organisation 128M x 16
• Fréquence de fonctionnement de 667 MHz pour le transfert de données à haut débit
• Boîtier CMS 96-VFBGA (7,5 x 13 mm)
• Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 95 °C (TC)
• Tension d'alimentation : 1,425 V à 1,575 V
• Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
• Interface mémoire parallèle pour une intégration polyvalente

Applications : Systèmes de contrôle industriel, électronique automobile, équipements de télécommunications, dispositifs médicaux, systèmes aérospatiaux et plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité nécessitant un support tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète.

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Winbond authentiques et 100 % traçables, accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'une certification de conformité.

Spécifications techniques complètes

• W632GG6NB15I.pdf