W632GG8NB12I

Winbond W632GG8NB12I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit

Le W632GG8NB12I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire organisé en 8 x 256 Mo fonctionne à une fréquence d'horloge de 800 MHz avec un temps d'accès de 20 ns, offrant des performances fiables sur une large plage de températures allant de -40 °C à 95 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbits dans un boîtier compact à montage en surface 78-VFBGA (8 × 10,5 mm).
• Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 95 °C TC) pour les environnements difficiles
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 800 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
• Technologie DDR3 : Interface SDRAM standard pour une large compatibilité
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
• Tension d'alimentation flexible : plage de fonctionnement de 1,425 V à 1,575 V

Applications idéales

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et autres applications nécessitant un support à long terme et une fiabilité élevée dans des conditions environnementales difficiles.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Nous sommes un distributeur agréé fournissant des composants Winbond authentiques avec une traçabilité complète, la documentation du fabricant et un support technique à long terme. Tous nos produits sont conformes aux normes RoHS et REACH.

• W632GG8NB12I.pdf