W632GG8NB15I

Winbond W632GG8NB15I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit

Le W632GG8NB15I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications exigeantes. Grâce à son architecture mémoire 256 Mbits x 8 et sa fréquence d'horloge de 667 MHz, ce composant offre des performances fiables sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 M x 8 pour une conception système flexible
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 667 MHz, temps d’accès de 20 ns et cycle d’écriture de 15 ns.
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 95 °C (TC) pour les environnements difficiles
• Norme industrielle : Technologie DDR3 SDRAM avec interface mémoire parallèle
• Boîtier compact : boîtier CMS 78-VFBGA (8 x 10,5 mm)
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de télécommunications où un support à long terme, une traçabilité complète et un fonctionnement à température étendue sont des exigences essentielles.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants 100 % traçables et certifiés par le fabricant, accompagnés d’une documentation complète et d’un engagement sur le long terme. Tous nos produits sont expédiés conformément aux spécifications du fabricant d’origine et aux normes RoHS/REACH.

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