W632GU6QB-15 TR

Winbond W632GU6QB-15 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance

La mémoire intégrée Winbond W632GU6QB-15 TR est un circuit intégré SDRAM DDR3L 2 Gbit haut de gamme conçu pour les systèmes embarqués critiques, l'automatisation industrielle, les infrastructures de télécommunications et les applications à haute fiabilité. Ce module DRAM volatil offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 667 MHz et une consommation d'énergie ultra-faible, ce qui le rend idéal pour les conceptions écoénergétiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : une capacité de 2 Gbit avec une organisation de 128 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications exigeantes.
• Technologie DDR3L basse tension : fonctionne entre 1,283 V et 1,45 V pour une consommation d’énergie et une production de chaleur réduites.
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 667 MHz, temps de cycle d’écriture de 15 ns et temps d’accès de 20 ns.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de 0 °C à 95 °C (TC), idéal pour les environnements difficiles.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 96-VFBGA (7,5 x 13 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
• Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures système existantes

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté à l'avionique aérospatiale, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux dispositifs médicaux, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels et à toute application nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques complètes

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