W632GU8NB09I

Winbond W632GU8NB09I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit

Le W632GU8NB09I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haute performance conçu pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.

Caractéristiques principales

• Capacité mémoire : 2 Gbit (organisation 256 Mo x 8)
• Technologie : DDR3L SDRAM fonctionnant à basse tension (1,283 V ~ 1,45 V)
• Vitesse : fréquence d’horloge de 1,067 GHz, temps de cycle d’écriture de 15 ns, temps d’accès de 20 ns
• Plage de température : Qualité industrielle étendue -40 °C à 95 °C (TC)
• Boîtier : Boîtier compact 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) pour montage en surface
• Conformité : Conforme aux normes RoHS et REACH en matière de sécurité environnementale

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de réseau et toute application nécessitant une disponibilité de mémoire stable et à long terme avec une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons pour chaque commande une documentation complète de traçabilité, les fiches techniques du fabricant et les certificats de conformité (RoHS/REACH). Tous les composants proviennent directement de Winbond Electronics, garantissant leur authenticité et leur disponibilité à long terme.

Informations de commande

Conditionné en barquettes pour les grandes quantités. Contactez-nous pour connaître les délais de livraison, les tarifs dégressifs et obtenir une assistance technique pour l'intégration de vos produits.

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