W632GU8NB09I TR

Winbond W632GU8NB09I TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance

La mémoire intégrée Winbond W632GU8NB09I TR est une mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec une faible consommation d'énergie, ce qui la rend idéale pour les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,066 GHz et un temps d’accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Économe en énergie : la technologie DDR3L fonctionne à une tension réduite (1,283 V ~ 1,45 V) pour une consommation d'énergie moindre.
• Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C, idéal pour les environnements difficiles
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire polyvalent est conçu pour être utilisé dans des systèmes à haute fiabilité, notamment l'informatique embarquée, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'infrastructure des télécommunications et l'électronique automobile, où des performances et une durabilité constantes sont essentielles.

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Chez HQICKEY , nous nous spécialisons dans la fourniture de composants électroniques authentiques et de haute qualité provenant de fabricants de confiance. Notre vaste gamme de mémoires propose les solutions semi-conducteurs les plus récentes pour vos applications critiques. Restez informé grâce aux analyses du secteur et aux ressources techniques disponibles sur notre blog Actualités et Techniques .

• W632GU8NB09I TR.pdf