W632GU8QB-09

Winbond W632GU8QB-09 - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance

Le W632GU8QB-09 de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans un boîtier compact à montage en surface 78 VFBGA.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : une capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
• Performances rapides : une fréquence d’horloge de 1,067 GHz avec un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données.
• Faible consommation d'énergie : la technologie DDR3L fonctionne à une tension de 1,283 V à 1,45 V, réduisant ainsi les besoins énergétiques.
• Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC), convient aux environnements difficiles
• Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
• Encombrement réduit : le boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5) optimise l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Le W632GU8QB-09 est idéal pour les systèmes embarqués critiques nécessitant des solutions de mémoire à haute fiabilité :

• Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
• Systèmes d'infodivertissement automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
• Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Calcul haute performance et traitement des données

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