W632GU8QB15I

Winbond W632GU8QB15I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haute fiabilité

Le Winbond W632GU8QB15I est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications critiques exigeant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Grâce à son architecture 256 Mbits x 8 et sa fréquence d'horloge de 667 MHz, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Faible consommation d'énergie : la technologie DDR3L, avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V, réduit la consommation d'énergie tout en maintenant des performances élevées.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C (TC), idéal pour les environnements difficiles.
• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 667 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
• Boîtier compact à montage en surface : le boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Ce circuit intégré de mémoire est idéal pour l'avionique aérospatiale, les systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, l'infrastructure de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire haute fiabilité avec un fonctionnement à température étendue.

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Spécifications techniques

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