W632GU8RB-09

Winbond W632GU8RB-09 - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

La W632GU8RB-09 de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette solution de mémoire volatile offre une capacité de stockage de données robuste grâce à son organisation en 256 Mo x 8, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,066 GHz et un temps d’accès de 20 ns garantissent une récupération et un traitement rapides des données.
• Architecture mémoire optimisée : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offrant des options d’intégration flexibles
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC), adapté aux environnements industriels exigeants.
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) minimise l’encombrement sur le circuit imprimé tout en optimisant les performances thermiques.
• Conformité aux normes industrielles : Certifié RoHS pour la sécurité environnementale et la conformité réglementaire
• Interface parallèle : intégration simplifiée avec les architectures système existantes

Spécifications techniques

Applications

Le W632GU8RB-09 est conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment les systèmes informatiques embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements réseau, l'électronique automobile, l'instrumentation médicale et l'avionique aérospatiale. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent des performances constantes dans les environnements difficiles où toute défaillance est inacceptable.

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