W632GU8RB-09 TR

Winbond W632GU8RB-09 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit

Le W632GU8RB-09 TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Ce composant authentique présente une architecture 256 Mo x 8 avec une interface parallèle et fonctionne sous 1,35 V pour une efficacité énergétique optimale.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8
• Technologie DDR3 SDRAM pour un accès rapide aux données (temps d'accès de 20 ns)
• Fonctionnement basse tension : plage d’alimentation de 1,283 V à 1,45 V
• Plage de températures de fonctionnement étendue : 0 °C à 95 °C (TC)
• Boîtier VFBGA 78 à montage en surface (8 x 10,5 mm)
• Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
• Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications : Idéal pour les contrôleurs industriels, l'informatique embarquée, les équipements de réseau, les systèmes automobiles et toute application nécessitant une mémoire DDR3 fiable avec une longue durée de vie.

HQICKEY fournit des composants Winbond authentiques avec un support technique dédié, une assurance qualité et une livraison internationale pour répondre à vos besoins de production.

Spécifications techniques complètes

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