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W632GU8RB-11
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 Winbond W632GU8RB-11 - Solution haute performance 2 Gbit
La Winbond W632GU8RB-11 est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance conçu pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Ce dispositif de mémoire volatile de 2 Gbits dispose d'une architecture 256M x 8 avec interface parallèle, offrant des performances fiables à une fréquence d'horloge de 933 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbits dans un boîtier compact à montage en surface 78-VFBGA (8 × 10,5 mm).
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 933 MHz, temps d’accès de 20 ns et temps de cycle d’écriture de 15 ns.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements industriels
- Alimentation flexible : plage de tension de fonctionnement de 1,283 V à 1,45 V
- Norme industrielle : Technologie DDR3 SDRAM avec interface mémoire parallèle
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
La W632GU8RB-11 est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute fiabilité avec des plages de température étendues et une longue durée de vie.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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