W632GU8RB-11 TR

Winbond W632GU8RB-11 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

Le W632GU8RB-11 TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications à haute fiabilité. Ce composant authentique offre des performances exceptionnelles avec une faible consommation d'énergie (fonctionnement à 1,35 V), ce qui le rend idéal pour les conceptions écoénergétiques dans les domaines des télécommunications, de l'électronique automobile, des équipements de réseau et des systèmes de contrôle industriels.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbit organisée en 256 Mo x 8 pour une intégration système flexible
• Technologie DDR3 basse consommation : la tension d’alimentation de 1,35 V réduit la consommation d’énergie jusqu’à 15 % par rapport à la DDR3 standard.
• Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantissent un fonctionnement réactif du système.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements exigeants.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
• Disponibilité tout au long du cycle de vie : garantie par l'engagement de HQICKEY à assurer un approvisionnement continu pour les projets à l'échelle de la production.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM DDR3 est parfaitement adaptée pour :

• Systèmes embarqués industriels et contrôleurs d'automatisation
• Infrastructure de réseau et de télécommunications
• Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
• Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
• Terminaux et bornes de point de vente
• Plateformes informatiques à haute fiabilité

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