W632GU8RB11I TR

Présentation du produit

Le W632GU8RB11I TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution DRAM volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements de systèmes embarqués exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : une capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées complexes.
• Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,283 V à 1,45 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
• Temps d'accès rapides : un temps d'accès de 20 ns et un cycle d'écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Large plage de fonctionnement : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC) pour des performances de qualité industrielle
• Boîtier compact : la conception à montage en surface 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Cette mémoire DDR3 SDRAM est dotée d'une interface mémoire parallèle et de la technologie SDRAM-DDR3, ce qui la rend idéale pour les applications de transfert de données à haut débit. Son conditionnement en bande et bobine garantit des processus d'assemblage automatisés efficaces pour la production en grande série.

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire haute fiabilité, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux où l'intégrité des données et des performances constantes sont primordiales.

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