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Winbond Electronics

W63AH2NBVABE TR

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
N+ €0,44 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire SDRAM LPDDR3 haute performance Winbond W63AH2NBVABE TR

La mémoire Winbond W63AH2NBVABE TR est une solution de mémoire mobile SDRAM LPDDR3 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Avec une fréquence d'horloge de 800 MHz et une consommation d'énergie optimisée (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V), ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les objets connectés industriels.

Doté d'une architecture mémoire 32M x 32 et d'une interface HSUL_12, le contrôleur W63AH2NBVABE TR offre un accès aux données fiable et rapide, avec un temps d'accès de 5,5 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns. Son boîtier CMS 178-VFBGA garantit une intégration compacte pour les conceptions à espace restreint, tout en assurant des performances robustes sur une large plage de températures, de -25 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de 1 Gbit : mémoire suffisante pour les applications mobiles et embarquées exigeantes.
  • Technologie LPDDR3 : Conception basse consommation optimisée pour les appareils fonctionnant sur batterie
  • Performances à 800 MHz : Fonctionnement à haute vitesse pour des performances système réactives
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -25 °C à 85 °C pour une fiabilité industrielle et automobile
  • Boîtier compact 178-VFBGA : format compact de 11 x 11,5 mm pour les designs modernes
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation :

Le W63AH2NBVABE TR est idéal pour :

  • Smartphones et appareils mobiles nécessitant une mémoire basse consommation et haute performance
  • Tablettes et plateformes informatiques portables
  • Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
  • Dispositifs IoT industriels et de calcul en périphérie
  • Technologies portables et appareils intelligents
  • Systèmes embarqués soumis à des contraintes strictes de puissance et de température

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR3 mobile
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 32M x 32
Interface mémoire HSUL_12
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 178-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 178-VFBGA (11x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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