W63AH2NBVABE TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire SDRAM LPDDR3 haute performance Winbond W63AH2NBVABE TR
La mémoire Winbond W63AH2NBVABE TR est une solution de mémoire mobile SDRAM LPDDR3 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Avec une fréquence d'horloge de 800 MHz et une consommation d'énergie optimisée (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V), ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les objets connectés industriels.
Doté d'une architecture mémoire 32M x 32 et d'une interface HSUL_12, le contrôleur W63AH2NBVABE TR offre un accès aux données fiable et rapide, avec un temps d'accès de 5,5 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns. Son boîtier CMS 178-VFBGA garantit une intégration compacte pour les conceptions à espace restreint, tout en assurant des performances robustes sur une large plage de températures, de -25 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages :
- Capacité de 1 Gbit : mémoire suffisante pour les applications mobiles et embarquées exigeantes.
- Technologie LPDDR3 : Conception basse consommation optimisée pour les appareils fonctionnant sur batterie
- Performances à 800 MHz : Fonctionnement à haute vitesse pour des performances système réactives
- Large plage de températures de fonctionnement : de -25 °C à 85 °C pour une fiabilité industrielle et automobile
- Boîtier compact 178-VFBGA : format compact de 11 x 11,5 mm pour les designs modernes
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation :
Le W63AH2NBVABE TR est idéal pour :
- Smartphones et appareils mobiles nécessitant une mémoire basse consommation et haute performance
- Tablettes et plateformes informatiques portables
- Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
- Dispositifs IoT industriels et de calcul en périphérie
- Technologies portables et appareils intelligents
- Systèmes embarqués soumis à des contraintes strictes de puissance et de température
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR3 mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 32M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 800 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 178-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 178-VFBGA (11x11,5) |
| RoHS |

W63AH2NBVABE TR.pdf