W63AH2NBVABI

Winbond W63AH2NBVABI - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR3 1 Gbit

La W63AH2NBVABI de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR3 1 Gbit haute performance pour appareils mobiles, conçue pour les applications à espace restreint exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données rapide. Avec une fréquence d'horloge de 800 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables pour les appareils mobiles, les systèmes embarqués et les applications industrielles.

Caractéristiques principales

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 800 MHz avec un temps d’accès de 5,5 ns
• Conception basse consommation : optimisée pour les applications mobiles avec double alimentation (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V)
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : boîtier CMS 178-VFBGA (11 × 11,5 mm)
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications

Idéal pour les appareils mobiles, les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute densité et basse consommation.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir ce composant ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Winbond authentiques avec traçabilité complète, documentation de conformité (RoHS/REACH) et assistance technique. Tous nos produits sont livrés avec leurs fiches techniques et disponibles en quantités industrielles, avec livraison internationale.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants de mémoire pour vos projets. Consultez notre page d'accueil pour parcourir notre catalogue complet de semi-conducteurs et de composants logiques programmables, ou visitez notre blog technique pour des analyses sectorielles et des notes d'application.

• W63AH2NBVABI.pdf