W63AH2NBVACE TR

Winbond W63AH2NBVACE TR - Mémoire SDRAM LPDDR3 haute performance pour appareils mobiles

La mémoire Winbond W63AH2NBVACE TR est une mémoire SDRAM LPDDR3 mobile de 1 Gbit de pointe, conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Grâce à sa technologie de semi-conducteurs avancée, ce circuit intégré mémoire offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes critiques exigeant un accès rapide aux données et une faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 933 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
• Architecture mémoire optimisée : l'organisation 32 Mo x 32 assure une gestion et un stockage efficaces des données.
• Conception à faible consommation : le fonctionnement à double tension (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V) minimise la consommation d'énergie des appareils mobiles.
• Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -25 °C à 85 °C permet de prendre en charge diverses conditions environnementales.
• Boîtier compact pour montage en surface : le VFBGA 178 (11 x 11,5 mm) permet de concevoir des circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM LPDDR3 haut de gamme est parfaitement adaptée aux systèmes avioniques aérospatiaux, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux équipements de diagnostic médical et aux infrastructures de télécommunications où la fiabilité et les performances sont primordiales.

Spécifications techniques

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