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W63AH2NBVACI TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W63AH2NBVACI TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR3 haute performance
La mémoire Winbond W63AH2NBVACI TR est une mémoire SDRAM LPDDR3 1 Gbit haut de gamme conçue pour les applications mobiles et embarquées critiques. Dotée de la technologie d'interface avancée HSUL_12, cette puce mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 933 MHz avec un temps d'accès ultra-rapide de seulement 5,5 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 933 MHz garantit un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Efficacité énergétique optimisée : le fonctionnement à double tension (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V) minimise la consommation d'énergie des appareils mobiles.
- Plage de température étendue : sa plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements automobiles et industriels.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM LPDDR3 est parfaitement adaptée aux systèmes de navigation aérospatiale, aux plateformes d'infodivertissement et ADAS automobiles, aux systèmes de contrôle industriels, aux équipements de diagnostic médical et aux infrastructures de télécommunications où la fiabilité et les performances sont non négociables.
Spécifications techniques
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Ressources connexes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR3 mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 32M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 178-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 178-VFBGA (11x11,5) |
| RoHS |  |
W63AH2NBVACI TR.pdf