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Winbond Electronics

W63AH2NBVADE

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Winbond W63AH2NBVADE - Circuit intégré de mémoire mobile SDRAM LPDDR3 1 Gbit

La W63AH2NBVADE de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR3 1 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Avec une architecture 32 Mbits/s 32 bits et une fréquence d'horloge de 1,066 GHz, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les équipements industriels.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 1,066 GHz et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantissent un accès rapide aux données.
  • Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR3 optimisée pour les applications mobiles avec double alimentation (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V)
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -25 °C à 85 °C (TC) pour les environnements exigeants.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
  • Traçabilité complète : Conditionnement en barquettes avec documentation complète pour un déploiement à l'échelle de la production

Applications idéales

Idéal pour les ingénieurs concepteurs et les équipes d'approvisionnement qui recherchent de la mémoire pour smartphones, tablettes, systèmes d'infodivertissement automobiles, contrôleurs industriels, appareils IoT et plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire SDRAM LPDDR3 haute fiabilité avec des plages de températures étendues.

Spécifications techniques complètes

Support intégré à la conception

Accédez à des fiches techniques complètes, des plans de référence et une documentation technique pour accélérer le développement de vos produits. Notre équipe assure une traçabilité complète et la conformité aux normes (RoHS/REACH) pour une intégration optimale à votre chaîne d'approvisionnement.

Référence fabricant : W63AH2NBVADE
Fabricant : Winbond Electronics
Disponibilité : En stock avec options de livraison internationale


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR3 mobile
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 32M x 32
Interface mémoire HSUL_12
Fréquence d'horloge 1,066 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 178-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 178-VFBGA (11x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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