W63AH2NBVADI

Winbond W63AH2NBVADI - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR3 mobile 1 Gbit

La W63AH2NBVADI de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR3 mobile haute performance de 1 Gbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire DRAM volatile offre des performances fiables grâce à une organisation mémoire de 32 Mbits x 32 octets et fonctionne à une fréquence d'horloge de 1,066 GHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,066 GHz et un temps d’accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Fonctionnement à double tension : flexibilité d'alimentation de 1,14 V à 1,3 V et de 1,7 V à 1,95 V
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire est conçu pour les applications exigeantes nécessitant une prise en charge à long terme et une traçabilité complète, notamment :

• Systèmes aérospatiaux et de défense
• Électronique automobile et systèmes ADAS
• Automatisation et contrôle industriels
• équipement de diagnostic médical
• Infrastructure de télécommunications

Distributeur agréé avec traçabilité complète et documentation de conformité RoHS/REACH disponible.

• W63AH2NBVADI.pdf