W63AH2NBVADI TR

Mémoire DRAM mobile LPDDR3 haute performance Winbond W63AH2NBVADI TR

La mémoire Winbond W63AH2NBVADI TR est une solution SDRAM LPDDR3 1 Gbit haut de gamme conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,066 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,066 GHz et un temps d’accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Architecture mémoire optimisée : l'organisation 32 Mo x 32 assure une gestion efficace des données pour les applications complexes.
• Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TC) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
• Faible consommation d'énergie : l'alimentation à double tension (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
• Boîtier standard de l'industrie : Boîtier CMS 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) pour une intégration facile
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire LPDDR3 est parfaitement adapté pour :

• appareils informatiques mobiles et smartphones
• Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
• équipements de contrôle et d'automatisation industriels
• Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
• Infrastructure de télécommunications
• applications aérospatiales et de défense

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