W63AH6NBVADE

Winbond W63AH6NBVADE - Circuit intégré de mémoire mobile SDRAM LPDDR3 1 Gbit

La mémoire Winbond W63AH6NBVADE est une mémoire SDRAM LPDDR3 1 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Avec une organisation mémoire de 64 Mbits x 16 et une fréquence d'horloge de 1,066 GHz, cette mémoire DRAM mobile offre des performances fiables pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les objets connectés industriels.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de 1 Gbit - L'organisation de la mémoire en 64 Mo x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications mobiles.
• Performances à haute vitesse - Une fréquence d'horloge de 1,066 GHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantit un accès rapide aux données
• Conception basse consommation - Technologie LPDDR3 optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie
• Large plage de fonctionnement - Qualité industrielle, plage de températures de -25 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
• Boîtier compact - Le boîtier CMS 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) permet un gain de place sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS - Répond aux normes environnementales pour la distribution mondiale

Applications

Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT et les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire mobile fiables et à faible consommation.

Pourquoi choisir notre distribution ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Winbond 100 % authentiques, avec une traçabilité complète, la documentation de conformité (RoHS/REACH) et un support technique. Chaque unité est livrée avec les fiches techniques du fabricant et les certificats de qualité.

Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

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