W66AP6NBHAHJ

La W66AP6NBHAHJ est une solution de mémoire SDRAM LPDDR4 mobile 1 Gbit hautes performances de Winbond Electronics, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Cette puce DRAM volatile offre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns , ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en bande passante des smartphones, tablettes, systèmes automobiles et équipements industriels.

Conçue avec une technologie SDRAM avancée, cette mémoire présente une organisation de 64 Mbits/s x 16 et une interface LVSTL_11 , garantissant des transferts de données fiables et des performances système optimales. La puce fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 105 °C (TC) , ce qui la rend idéale pour les environnements industriels et automobiles exigeants où les températures extrêmes sont fréquentes.

Caractéristiques techniques clés

• Capacité de mémoire : 1 Gbit (128 Mo)
• Organisation de la mémoire : 64M x 16
• Technologie : SDRAM LPDDR4 mobile
• Fréquence d'horloge : 2,133 GHz
• Temps d'accès : 3,6 ns
• Temps de cycle d'écriture : 18 ns
• Interface : LVSTL_11
• Tension d'alimentation : 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
• Température de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC)
• Boîtier : 100-VFBGA (10x7,5mm)
• Montage : Montage en surface
• Conforme à la directive RoHS : Oui

Applications

Cette puce mémoire est idéale pour les appareils mobiles, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications où des performances de mémoire rapides et fiables sont essentielles.

Qualité et conformité

Fabriqué par Winbond Electronics selon des normes de qualité strictes, ce composant est conforme à la directive RoHS, garantissant ainsi la responsabilité environnementale et la conformité réglementaire de vos conceptions.

Spécifications complètes du produit

Ressources connexes

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