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W66AP6NBUAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire SDRAM LPDDR4 haute performance Winbond W66AP6NBUAGJ TR
La mémoire Winbond W66AP6NBUAGJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4 1 Gbit haut de gamme pour applications mobiles, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire semi-conductrice haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués et les plateformes informatiques mobiles exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,867 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 64 Mo x 16 assure une gestion efficace des données
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC) pour une fiabilité en environnements extrêmes
- Faible consommation d'énergie : l'alimentation à double tension (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) permet de concevoir des circuits imprimés compacts.
- Qualité industrielle : l'interface LVSTL_11 garantit une intégrité du signal robuste
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire LPDDR4 haute fiabilité est conçue pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une tolérance aux températures extrêmes
- Systèmes d'infodivertissement automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructure de télécommunications et équipements de réseau 5G
- Plateformes informatiques embarquées hautes performances
Qualité et conformité
Le W66AP6NBUAGJ TR répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS , garantissant ainsi le respect de l'environnement et la conformité réglementaire pour les marchés internationaux. Fabriqué par Winbond Electronics, leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant offre la fiabilité et les performances requises par vos applications critiques.
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 1,867 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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