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W66AQ6NBUAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance Winbond W66AQ6NBUAHJ - 1 Gbit
La Winbond W66AQ6NBUAHJ est un circuit intégré de mémoire DRAM mobile LPDDR4X de 1 Gbit de pointe, conçu pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Cette solution de mémoire avancée offre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeantes telles que les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les équipements industriels.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 2,133 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR4X est optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Fonctionnement à double tension : tensions d’alimentation de 1,06 V à 1,17 V et de 1,7 V à 1,95 V pour une intégration système flexible.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Le W66AQ6NBUAHJ est parfaitement adapté pour :
- Smartphones et appareils mobiles
- Tablettes et ordinateurs portables
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- Systèmes de contrôle industriels
- Dispositifs IoT et de calcul en périphérie
- Technologie portable
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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