W66BP2NQQAHJ

Winbond W66BP2NQQAHJ - Mémoire DRAM mobile LPDDR4 haute performance pour applications critiques

La W66BP2NQQAHJ de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications mobiles, automobiles et embarquées exigeant des performances exceptionnelles, une consommation d'énergie ultra-faible et une fiabilité éprouvée. Avec une fréquence d'horloge ultra-rapide de 2,133 GHz et un temps d'accès de 3,6 ns, une référence dans le secteur, cette solution mémoire offre la vitesse et l'efficacité requises par les plateformes mobiles de nouvelle génération, les systèmes d'infodivertissement automobiles et les objets connectés industriels.

Pourquoi choisir le W66BP2NQQAHJ ?

• Vitesse et réactivité exceptionnelles : la fréquence d’horloge de 2,133 GHz et le temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement instantané des données pour les applications temps réel exigeantes.
• Consommation d'énergie ultra-faible : l'alimentation double tension optimisée (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) maximise l'autonomie de la batterie des appareils mobiles et réduit la dissipation thermique des systèmes embarqués.
• Fiabilité de qualité industrielle : une plage de températures de fonctionnement étendue de -40 °C à 105 °C (TC) garantit des performances stables dans les environnements automobiles, industriels et extérieurs difficiles.
• Conception compacte : le boîtier CMS 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) optimise l'espace disponible sur la carte pour des conceptions multifonctionnelles denses.
• Assistance tout au long du cycle de vie : Bénéficiez de l’engagement de Winbond en matière de disponibilité et de traçabilité étendues des produits pour les applications critiques.
• Conforme aux normes environnementales : certifié RoHS pour la conformité aux réglementations internationales et une fabrication durable

Applications cibles et cas d'utilisation

La W66BP2NQQAHJ est la solution mémoire idéale pour :

• Informatique mobile : smartphones, tablettes, objets connectés et appareils portables nécessitant une mémoire DRAM haute densité et basse consommation
• Systèmes automobiles : systèmes d’infodivertissement, ADAS, combinés d’instruments et télématique nécessitant une large plage de températures et une disponibilité à long terme
• Internet des objets industriels : informatique de périphérie, contrôleurs industriels, panneaux IHM et systèmes de vision embarqués
• Électronique grand public : décodeurs, appareils domotiques, lecteurs multimédias portables et consoles de jeux.
• Dispositifs médicaux : équipements de diagnostic portables, systèmes de surveillance des patients et dispositifs d’imagerie

Avantages techniques

Basée sur la technologie LPDDR4 éprouvée, la W66BP2NQQAHJ offre une organisation mémoire de 64 Mo x 32 avec interface LVSTL_11, garantissant une bande passante et une efficacité supérieures aux solutions LPDDR3 et DDR3L traditionnelles. Son temps de cycle d'écriture de 18 ns assure un débit de données rapide pour les applications gourmandes en écriture, tandis que sa conception basse tension minimise la consommation d'énergie sans compromettre les performances.

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

Chaque unité W66BP2NQQAHJ est fabriquée selon les normes de qualité les plus strictes et bénéficie d'une documentation de traçabilité complète. Winbond Electronics fournit un support technique complet, des fiches techniques et des notes d'application pour garantir une intégration réussie à votre conception. Grâce à son engagement de disponibilité à long terme, ce produit est un choix idéal pour les applications nécessitant un support étendu tout au long de leur cycle de vie.

Les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez consulter la fiche technique officielle du fabricant pour obtenir les informations et les recommandations de conception les plus récentes.

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