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Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
W66BP2NQQAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP2NQQAHJ TR - SDRAM LPDDR4 mobile haute performance
La mémoire Winbond W66BP2NQQAHJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4 de 2 Gbits haute fiabilité conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 64 Mbits x 32 octets et fonctionnant à 2,133 GHz, elle offre des performances exceptionnelles pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les appareils industriels.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 64 Mbits x 32 bits
- Technologie LPDDR4 pour une faible consommation d'énergie
- Fréquence d'horloge de 2,133 GHz pour un transfert de données à haut débit
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC)
- Alimentation à double tension : 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
- Boîtier TFBGA 200 à montage en surface (10 x 14,5 mm)
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
- Temps d'accès rapide : 3,6 ns
Applications : appareils mobiles, systèmes d'infodivertissement automobile, contrôleurs industriels, objets connectés, équipements médicaux et infrastructures de télécommunications.
Bénéficiant de la réputation de qualité et de fiabilité de Winbond, le W66BP2NQQAHJ TR est fourni avec une documentation complète de traçabilité et de conformité. Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour l'assemblage automatisé.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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