W66BP2NQUAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Mémoire mobile LPDDR4 haute performance Winbond W66BP2NQUAGJ TR
La mémoire W66BP2NQUAGJ TR de Winbond Electronics offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce module SDRAM LPDDR4 de 2 Gbits fonctionne à 1,867 GHz avec une organisation mémoire de 64 Mbits x 32, garantissant un accès aux données fiable et rapide même dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,867 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles.
- Faible consommation d'énergie : double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) optimisée pour les applications mobiles
- Boîtier compact pour montage en surface : 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Support longue durée : Idéal pour les conceptions nécessitant une disponibilité et une traçabilité étendues.
Applications
Idéale pour les systèmes embarqués, l'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications nécessitant une mémoire haute fiabilité avec un fonctionnement à température étendue.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 1,867 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
