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Winbond Electronics

W66BP6NBQAFJ

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Winbond W66BP6NBQAFJ - Mémoire DRAM mobile LPDDR4 haute performance

La W66BP6NBQAFJ de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation et un transfert de données rapide. Ce circuit intégré de mémoire volatile dispose d'une organisation 128 Mbits x 16 avec interface LVSTL_11, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et un temps d'accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications mobiles exigeantes.
  • Conception basse consommation : double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) optimisée pour une efficacité énergétique mobile.
  • Plage de températures de fonctionnement étendue : de -40 °C à 105 °C (TC), adaptée aux environnements automobiles, industriels et aérospatiaux.
  • Boîtier compact à montage en surface : boîtier 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) idéal pour les conceptions à espace restreint.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM LPDDR4 est idéale pour :

  • Smartphones et tablettes
  • Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • Dispositifs IoT industriels
  • Plateformes informatiques embarquées
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4 mobile
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 16
Interface mémoire LVSTL_11
Fréquence d'horloge 1,6 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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