W66BP6NBQAHJ

Winbond W66BP6NBQAHJ - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4 mobile haute performance

La Winbond W66BP6NBQAHJ est un circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit haut de gamme, conçu pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Ce semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les objets connectés industriels.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 2,133 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Architecture mémoire optimisée : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 128 M x 16 pour une gestion efficace des données
• Alimentation optimisée pour les appareils mobiles : fonctionnement à double tension (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) pour des applications mobiles économes en énergie
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour une fiabilité accrue dans les secteurs automobile et industriel
• Montage en surface compact : boîtier 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Le circuit intégré de mémoire LPDDR4 W66BP6NBQAHJ est parfaitement adapté aux applications suivantes :

• Smartphones et appareils mobiles nécessitant une mémoire haute vitesse et basse consommation
• Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
• Applications de l'Internet des objets industriel et de l'informatique en périphérie
• Tablettes et appareils informatiques portables
• Dispositifs et instruments médicaux
• équipement d'infrastructure de télécommunications

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