W66BP6NBUAFJ TR

Mémoire SDRAM LPDDR4 haute performance Winbond W66BP6NBUAFJ TR

La mémoire Winbond W66BP6NBUAFJ TR est une solution SDRAM LPDDR4 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles. Cette puce mémoire avancée garantit un fonctionnement fiable sur une large plage de températures, ce qui la rend idéale pour les systèmes automobiles, industriels et critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,6 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns pour un traitement rapide des données
• Architecture mémoire optimisée : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 128 M x 16 pour une gestion efficace des données
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements difficiles
• Faible consommation d'énergie : technologie LPDDR4 avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V)
• Boîtier compact pour montage en surface : 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM LPDDR4 est parfaitement adaptée pour :

• appareils mobiles et smartphones
• Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
• Contrôle et automatisation industriels
• Dispositifs IoT et de calcul en périphérie
• Équipements et instruments médicaux
• applications aérospatiales et de défense

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